[实用新型]基于热电效应的半导体局部制冷设备有效

专利信息
申请号: 202021405663.9 申请日: 2020-07-16
公开(公告)号: CN212746956U 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 吴挺俊;高鹏 申请(专利权)人: 厦门稀土材料研究所
主分类号: F25B21/02 分类号: F25B21/02;F25B49/00;H05K7/20
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 聂稻波;吕少楠
地址: 361021 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型公开了一种基于热电效应的半导体局部制冷设备。设备包括:制冷面、热电半导体制冷片、散热组件、温度传感器和温度控制器;所述热电半导体制冷片包括低温端和高温端;所述制冷面的表面分为A面和B面,所述制冷面的B面与热电半导体制冷片的低温端连接,所述散热组件与所述热电半导体制冷片的高温端连接;所述温度传感器与制冷面的A面连接;所述温度控制器与所述温度传感器、热电半导体制冷片的低温端、以及散热组件分别连接。本实用新型可以为科研实验室局部制冷、医疗冷却处理、食品降温保鲜,生物技术等需要在开放空间局部制冷的场合提供便携、小型的制冷设备。
搜索关键词: 基于 热电 效应 半导体 局部 制冷 设备
【主权项】:
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