[实用新型]一种边缘电场改善结构、载板单体及载板有效
| 申请号： | 202021425902.7 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN212713739U | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 肖俊峰;王锦乐;张玉前;庞三凤;萧圣义 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（合肥）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50;C23C16/458;H01L21/687 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 代群群 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种边缘电场改善结构、载板单体及载板，属于硅晶片表面真空镀膜技术领域。边缘电场改善结构包括在承载硅晶片的载置框的内侧壁上设置有若干凸起部。载板单体包括边缘电场改善结构以及设置于载置框下侧的载置台。载板包括若干个载板单体，载板单体在载板上呈阵列式分布。本实用新型有效的改善了镀膜过程中载板单体边缘电场的均匀性，提高了硅晶片镀膜厚度的均匀性。改善了由于镀膜厚度不同而产生的外观色差。本实用新型仅在原有的载置框的载板单体内侧壁上设置凸起部，整体改进结构简单，改进成本低。有利于大规模生产和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 边缘 电场 改善 结构 单体 | ||
【主权项】：
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