[实用新型]可提高金垫识别度的半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 202021461161.8 申请日: 2020-07-22
公开(公告)号: CN212257382U 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 王荣荣;刘翔;周祖源;吴政达 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请提供一种可提高金垫识别度的半导体封装结构。所述半导体封装结构自下而上包括衬底、金属种子层、基底铜层、铜垫层、镍垫层及金垫层,其中,所述铜垫层的表面粗糙度大于所述基底铜层的表面粗糙度,所述金垫层的表面积小于所述基底铜层的表面积且不大于所述铜垫层的表面积。本申请的半导体封装结构在基底铜表面依次形成有铜垫层、镍垫层和金垫层,由于铜垫层的表面粗糙度大于基底铜层的表面粗糙度,因而在铜垫层的周向显示为较深的颜色;且由于增加了铜垫层,金垫层和基底铜的高度差进一步增大,因而焊线机台的黑白镜头很容易识别出金垫层的位置,由此能将金属引线精准键合到金垫层的表面,有助于提高器件的导电性能,提高生产良率。
搜索关键词: 提高 识别 半导体 封装 结构
【主权项】:
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