[实用新型]一种新型双沟槽的肖特基二极管有效
| 申请号： | 202021477848.0 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN212542446U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 薛涛;关仕汉;迟晓丽 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47 |
| 代理公司： | 淄博川诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 37275 | 代理人： | 高鹏飞 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型双沟槽的肖特基二极管，包括N+型衬底和N‑型外延层，所述N+型衬底上表面设置有N‑型外延层，所述N型外延层上表面的芯片外圈对称开设有1个或多个降压环，所述N‑型外延层上表面的中心处均匀开设有第一沟槽，所述N‑型外延层上表面位于所述两个第一沟槽之间开设有第二沟槽，所述降压环和第一沟槽内壁设有氧化硅绝缘层，所述降压环和第一沟槽内部均填充有多晶硅；本实用新型通过在N‑型外延层表面设置第一沟槽和第二沟槽，采用双沟槽设计，通过第一沟槽可以在芯片反向通电流时有效阻断电流，通过第二沟槽可有效增大肖特基界面的面积，大大的增加了导电面积减小正向压降，提高产品导通时的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 沟槽 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淄博汉林半导体有限公司，未经淄博汉林半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202021477848.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
