[实用新型]AlGaN基深紫外LED外延片有效
| 申请号： | 202021484612.X | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN212323022U | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 高芳亮;杨金铭 | 申请（专利权）人： | 深圳市昂德环球科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 武志峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了AlGaN基深紫外LED外延片，其中，所述AlGaN基深紫外LED外延片包括：碳化硅衬底、沉积在所述碳化硅衬底上的Ag层、生长在所述Ag层上的AlN缓冲层、生长在所述AlN缓冲层上的AlGaN缓冲层、生长在所述AlGaN缓冲层上的非掺杂AlGaN层、生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层和生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂GaN薄膜。本实用新型无需采用剥离工艺，外量子效率得到大幅提升；能减少位错的形成，提高了载流子的辐射复合效率，可得到高导热、高导电、高发光性能深紫外LED；深紫外LED电流分布更加均匀，提高出光效率，同时具有良好的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | algan 深紫 led 外延 | ||
【主权项】：
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