[实用新型]一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备有效
申请号: | 202021516455.6 | 申请日: | 2020-07-28 |
公开(公告)号: | CN213172563U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 方明喜;肖学才 | 申请(专利权)人: | 爱利彼半导体设备(中国)有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/52 |
代理公司: | 苏州隆恒知识产权代理事务所(普通合伙) 32366 | 代理人: | 周子轶 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备,包括:真空单元,包括真空泵和至少一个腔室,腔室用于容纳温控盘,真空泵通过真空管道与各个腔室连接,真空泵用于将腔室的内部形成真空;温度传感器,温度传感器分别设置在每个腔室上,用于检测腔室的温度;降温单元,包括冷水泵和冷水管,冷水管连接冷水泵与腔室;控制单元,控制单元的输入端与温度传感器电性连接,控制单元的输出端与温控盘、真空单元以及降温单元电性连接,控制单元根据温度传感器检测的温度分别控制温控盘以及降温单元。退火设备能够模拟半导体镀膜设备的工作状态,检测其性能,能够确保半导体镀膜设备是否符合生产需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 镀膜 设备 温控 退火 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的