[实用新型]功率器件IGBT有效
| 申请号： | 202021527269.2 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN212783458U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 屈志军;张景超;赵善麒;戚丽娜;林茂;井亚会 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/739 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 常莹莹 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种功率器件IGBT，包括：衬底；位于衬底的第一表面的有源区；位于衬底的第一表面和第二表面之间的漂移区；位于衬底的第二表面的集电区，其中，漂移区连接有源区和集电区；集电区包括交替划分的第一区域和第二区域，其中，第一区域的面积大于第二区域的面积，第一区域和第二区域的导电类型不同。本实用新型的功率器件IGBT，能够在器件正向导通时，提前产生0.7V的压降，提前促使P+N结的正向导通，使第一区域空穴注入漂移区，形成电导调制，降低器件的压降；在器件关断期间，通过第二区域通道可以提供大量电子进入漂移区，加大漂移区非平衡载流子的复合，减少IGBT器件关断拖尾电流，进而减小器件的关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 igbt | ||
【主权项】：
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