[实用新型]一种高质量晶片镀膜装置有效
| 申请号： | 202021543720.X | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN212732748U | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨晶创科技有限公司 |
| 主分类号： | B05B16/20 | 分类号： | B05B16/20;B05B13/02;B05B14/40;B05D3/02;B05D3/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 李晓敏 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶片镀膜装置，晶体制备技术领域。解决的是现有的晶片镀膜后转移加热过程中易被污染的问题。包括真空壳体、旋转真空装置、加热器和雾化喷嘴，真空壳体的顶部安装有雾化喷嘴，真空壳体的侧壁上均布有加热器，真空壳体下侧安装有旋转真空装置，旋转真空装置包括旋转托盘、外部支撑轴和真空管，旋转托盘与外部支撑轴连接，真空管安装在外部支撑轴侧面，外部支撑轴上加工有真空通道，旋转托盘圆心位置加工有通孔，通孔通过真空通道与真空管连通。箱体内部四周分布的加热器可直接进行加热，对光刻胶进行坚膜，无需进行移动，避免了镀膜后转移过程中发生污染，保证对晶片高质量镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 晶片 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
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