[实用新型]一种高质量晶片镀膜装置有效

专利信息
申请号: 202021543720.X 申请日: 2020-07-30
公开(公告)号: CN212732748U 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 哈尔滨晶创科技有限公司
主分类号: B05B16/20 分类号: B05B16/20;B05B13/02;B05B14/40;B05D3/02;B05D3/04
代理公司: 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 代理人: 李晓敏
地址: 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 实用新型涉及一种晶片镀膜装置,晶体制备技术领域。解决的是现有的晶片镀膜后转移加热过程中易被污染的问题。包括真空壳体、旋转真空装置、加热器和雾化喷嘴,真空壳体的顶部安装有雾化喷嘴,真空壳体的侧壁上均布有加热器,真空壳体下侧安装有旋转真空装置,旋转真空装置包括旋转托盘、外部支撑轴和真空管,旋转托盘与外部支撑轴连接,真空管安装在外部支撑轴侧面,外部支撑轴上加工有真空通道,旋转托盘圆心位置加工有通孔,通孔通过真空通道与真空管连通。箱体内部四周分布的加热器可直接进行加热,对光刻胶进行坚膜,无需进行移动,避免了镀膜后转移过程中发生污染,保证对晶片高质量镀膜。
搜索关键词: 一种 质量 晶片 镀膜 装置
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