[实用新型]一种压差开关、气体控制箱和半导体处理设备有效
| 申请号： | 202021574414.2 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN213184199U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 江家玮;王治平 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;G01L11/00 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 文言;田宇 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及等离子体刻蚀的技术领域，公开了一种压差开关、气体控制箱和半导体处理设备，所述压差开关包括至少两个压力探测机构和压力波动阻尼器，所述压力探测机构的其中一个用于探测第一环境中的压力，另外一个用于探测第二环境中的压力；所述压力波动阻尼器置于至少一个所述压力探测机构中，用于过滤短暂的压力波动。将压力管道中偶尔会产生的短暂的压力波动过滤掉，短暂的压力波动并不会造成安全事故，防止压差开关将短暂的压力波动也判断为压力值异常、不达标从而将设备关闭，从而防止影响生产和报废正在刻蚀的晶圆，造成损失；并且，所述压差开关的体积较小，易于集成安装于半导体处理设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开关 气体 控制箱 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
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