[实用新型]三维多芯片并联封装结构有效
| 申请号： | 202021585598.2 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN212695148U | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 周理明;薛伟;吕强;肖宝童;金铭;熊鹏程;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 三维多芯片并联封装结构。涉及半导体器件技术领域，具体涉及多二极管芯片并联结构的半导体器件。提供了一种在不增大安装占用面积的同时，增加器件过流能力的三维多芯片并联结构。包括框架、芯片和跳线，其特征在于，所述框架包括框架A和框架B，在所述框架B上由下至上依次堆叠有芯片层1、芯片层2……芯片层n，n≥2；相邻芯片层的相对面的极性一致，所述跳线Ak和跳线Bj的总和与芯片层的层数一致。n为数字序号。本实用新型将多芯片由平面铺展改成三维堆叠，将多芯片串联封装改成多芯片并联封装，由此减少封装体的安装占用面积。此外，三维多芯片并联结构可以制定不同的过流能力和耐压能力，满足不同应用场景的使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 芯片 并联 封装 结构 | ||
【主权项】：
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