[实用新型]硅太阳能电池的断面分层缺陷探伤检测装置有效

专利信息
申请号: 202021683537.X 申请日: 2020-08-13
公开(公告)号: CN212674757U 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 席曦;邵剑波;刘桂林 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: G01N21/01 分类号: G01N21/01;G01N21/892
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 殷红梅
地址: 214122 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种缺陷探伤检测装置,尤其是一种硅太阳能电池的断面分层缺陷探伤检测装置,属于硅太阳能电池缺陷检测的技术领域。其通过图像采集器采集检测光源发射的每个波段光线的光致发光图像,且将所采集的光致发光图像传输至检测操作平台,检测操作平台将所需光致发光图像处理后得到硅太阳能电池不同断面的检测图像,以根据所得到的断面检测图像能对所述硅太阳能电池的断面缺陷检测,能有效实现对硅太阳能电池的断面探测,对于存在缺陷的硅太阳能电池,能明确所述缺陷所在的断面位置,提高硅太阳能电池生产的效率,降低生产成本,安全可靠。
搜索关键词: 太阳能电池 断面 分层 缺陷 探伤 检测 装置
【主权项】:
暂无信息
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