[实用新型]一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器有效
申请号: | 202021694270.4 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN212380427U | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 李正;唐立鹏 | 申请(专利权)人: | 湖南正芯微电子探测器有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/118;H01L27/144 |
代理公司: | 长沙新裕知识产权代理有限公司 43210 | 代理人: | 刘加 |
地址: | 411100 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器,多像素超小电容X射线探测单元,包括n型硅基体,其顶面设有P+阴极,底面设有n+阳极;n型硅基体的顶面设有第一二氧化硅矩形框,第一二氧化硅矩形框内设有第二二氧化硅矩形框,两者间形成第一P+重掺杂离子注入区,第二二氧化硅矩形框内形成第二P+重掺杂离子注入区,第二二氧化硅矩形框上形成连通第一P+重掺杂离子注入区和第二P+重掺杂离子注入区形成P+阴极的缺口,缺口为第三P+重掺杂离子注入区,第二P+重掺杂离子注入区上镀设有阴极铝层。一种多像素超小电容X射线探测器,由多个上述所述的多像素超小电容x射线探测单元呈阵列分布组成,电极面积和电容值小。 | ||
搜索关键词: | 一种 像素 电容 射线 探测 单元 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的