[实用新型]双芯片功率MOSFET封装结构有效
| 申请号： | 202021722006.7 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN212517178U | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 张开航;马云洋 | 申请（专利权）人： | 苏州秦绿电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L23/49;H01L23/31;H01L25/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种双芯片功率MOSFET封装结构，其源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出；MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接；源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；所述陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块；此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽。本实用新型有利于进一步提高器件的功率，也便于热量扩散，防止水汽进入器件内部。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 功率 mosfet 封装 结构 | ||
【主权项】：
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