[实用新型]功率MOS的封装结构有效
| 申请号： | 202021722031.5 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN212517179U | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 张开航;马云洋 | 申请（专利权）人： | 苏州秦绿电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L23/49;H01L23/31;H01L25/07 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种功率MOS的封装结构，其陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块；MOSFET芯片上具有源极区、漏极区和栅极区，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接；陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔；陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出，此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽。本实用新型避免了陶瓷导热本体与环氧封装体的分层，防止水汽进入器件内部，增加了和热交换的面积，从而便于热量扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 封装 结构 | ||
【主权项】：
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