[实用新型]半导体器件及硅光电倍增器有效
| 申请号： | 202021741009.5 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN212693089U | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 布莱恩·帕特里克·麦加维;达里乌斯·皮奥特·帕鲁比克 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00;H01L31/107;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;马芬 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件及硅光电倍增器。半导体器件具体为成像设备，该成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。在成像设备(诸如硅光电倍增器)中将SPAD靠近放置在一起可具有有益效果诸如改善的灵敏度。然而，随着SPAD变得更靠近在一起，SPAD可能变得易受串扰的影响。由于动态范围减小和信号精度降低，串扰通常是不期望的。为了减少串扰，电容器或其他部件可耦接在相邻SPAD之间。当在给定SPAD上发生雪崩时，偏压电压可降低到低于击穿电压。电容器可在相邻SPAD上引起对应电压降。相邻SPAD上的电压降降低了该SPAD的过偏压，从而降低了SPAD的灵敏度并因此减少了串扰发生的机会。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 光电 倍增器 | ||
【主权项】：
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