[实用新型]一种IGBT芯片版图金属层

摘要

本实用新型公开一种IGBT芯片版图金属层，芯片版图包括元胞区、终端区、栅极压焊点、发射极压焊点；所述终端区位于元胞区的外围，栅极压焊点、发射极压焊点位于元胞区内部；其特征在于，版图金属层包括发射极金属及栅极金属；所述发射极金属包括位于元胞区内部的第一发射极金属，以及位于元胞区与终端区连接过渡区的第二发射极金属；所述第二发射极金属在过渡区环绕构成等位环场板，并与第一发射极金属电连接；所述栅极金属环绕在第一发射极金属与第二发射极金属之间，并留有第一发射极金属与第二发射极金属电连接的通道。本实用新型能够满足发射极金属和栅极金属的设计要求，增加电流流通路径，改善电流均匀性，提高关断能力。