[实用新型]一种新型APD升压阵列电路有效

专利信息
申请号: 202021832398.2 申请日: 2020-08-28
公开(公告)号: CN213457701U 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 何超;李林科;吴天书;杨现文;张健 申请(专利权)人: 武汉联特科技股份有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042;H03F3/45
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 代婵
地址: 430000 湖北省武汉市东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型提供一种新型APD升压阵列电路,包括用于输出高电压的APD Bias芯片电路、用于实现四路电路放大输出且输出可调的运放芯片电路,所述APD Bias芯片电路包括APD Bias芯片,所述运放芯片电路包括运放芯片,APD Bias芯片的电压输出端口与运放芯片的电源输入端口电连接,运放芯片内设有四个运算放大器,运算放大器的运放电源为APD Bias芯片的输出电压,运算放大器的负输入端通过第一电阻接地,运算放大器的输出端口通过第二电阻与运算放大器的负输入端电连接,运算放大器的正输入端通过第三电阻与控制器电连接。本实用新型采用一只APD Bias芯片和一只运放芯片,实现了传统的四只APD BIAS芯片才能完成的高压供电功能,并且性能相当,本实用新型物料成本低,节省布板空间。
搜索关键词: 一种 新型 apd 升压 阵列 电路
【主权项】:
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