[实用新型]特氟龙膜闪烁晶体阵列有效

专利信息
申请号: 202021852304.8 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN213091896U 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 李国铭;李俊谕;刘冰;边建盟;张泽森;程豪华 申请(专利权)人: 三河晶丽方达科技有限公司
主分类号: G01T1/202 分类号: G01T1/202;B32B37/12
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 杨玉廷
地址: 065201 河北省廊坊市三*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型公开了特氟龙膜闪烁晶体阵列,包括闪烁晶体阵列主体,所述闪烁晶体阵列主体上均匀设有晶体,且闪烁晶体阵列主体上包覆有单面特氟龙胶带,所述晶体内设有晶条,且晶条上包覆有特氟龙膜。该特氟龙膜闪烁晶体阵列使用特氟龙膜作为高效率反射层,不需要使用光学胶粘接,不存在反射层开裂问题,同时有效减少晶体材料的浪费,且晶条与晶条中心距能控制在固定尺寸,便于组装加工,使数据读取更加精确,便于闪烁晶体阵列的使用。
搜索关键词: 特氟龙膜 闪烁 晶体 阵列
【主权项】:
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