[实用新型]气体混合装置及半导体制造设备有效
申请号: | 202021927930.9 | 申请日: | 2020-09-07 |
公开(公告)号: | CN213680878U | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 许志章 | 申请(专利权)人: | 亦立科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/50;C23C16/511;H01L21/67 |
代理公司: | 深圳德高智行知识产权代理事务所(普通合伙) 44696 | 代理人: | 李戍 |
地址: | 中国台湾竹北市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型提出一种气体混合装置,其包含:主体、气体混合槽、第一通气槽、第二通气槽及第三通气槽;主体,包含有第一面,第一面设有第一开口及第二开口;气体混合槽,设置于主体内部;第一通气槽,设置于主体内部,第一通气槽自第一开口连通至气体混合槽;第二通气槽,设置于主体内部,其具有第一端及第二端,第一端与第二开口连接;第三通气槽,设置于主体内部,第三通气槽自气体混合槽连通至第二通气槽的第二端,俾使第一通气槽的直线延伸与第三通气槽的直线延伸形成夹角。 | ||
搜索关键词: | 气体 混合 装置 半导体 制造 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的