[实用新型]晶圆镀液的高精度控温系统有效
| 申请号： | 202021946697.9 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN212412018U | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 周浩;李宗颖;张萍;李勇刚;李玉萍 | 申请（专利权）人： | 河北广创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 065201 河北省廊坊市三河市燕郊开*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型属于半导体芯片加工设备领域，具体涉及一种晶圆镀液的高精度控温系统，解决了现有技术中晶圆化镀不均匀的缺陷，提供一种晶圆镀液的高精度控温系统，包括镀液槽，镀液槽内循环管道，热交换器，加热机，压缩空气进入口，压缩空气管道，循环泵，控制阀，所述镀液槽与镀液槽内循环管道联通，镀液槽内循环管道上设有换热分支管道和循环排放分支管道，换热分支管道与热交换器联通，循环泵位于换热分支管道上；管道上设有控制阀；所述加热机与热交换器通过管道连接。本系统能精准控温，镀液能得到有效控制和过滤，镀液性能的稳定使得产品质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆镀液 高精度 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
