[实用新型]一种高效N型HIBC太阳能电池有效
申请号: | 202021948246.9 | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN213184320U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 杜娟;张敏;卢刚 | 申请(专利权)人: | 黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/0352 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;贾珍珠 |
地址: | 810007 青*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | 本实用新型公开了高效N型HIBC太阳能电池,包括N型硅衬、第一本征非晶硅层、N型非晶硅层和减反层、及第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和接触层,N型硅衬底的厚度为160~190μm;第一本征非晶硅层的厚度为1~15nm;N型非晶硅层的厚度为5~20nm;掺杂非晶硅层包括交替间隔设置的P型非晶硅区和N型非晶硅区;第二本征非晶硅层的厚度为1~15nm;掺杂非晶硅层的厚度为0.1~0.4μm,P型非晶硅区的宽度为300~1000μm;N型非晶硅区的宽度为80~220μm,相邻的P型非晶硅区和N型非晶硅区之间的间隙宽度为10~50μm。本实用新型旨在提升电池的光电转化效率及质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 hibc 太阳能电池 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的