[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 202021961995.5 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN212967709U | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王泓江;赵德刚 | 申请（专利权）人： | 北京蓝海创芯智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人： | 张明明 |
| 地址： | 100089 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体结构，属于半导体技术领域。本实用新型结构从下到上依次包括衬底、底层二维半导体材料、P型二维半导体材料、N型二维半导体材料和介质层，介质层两端分别设有P型金属电极、N型金属电极，P型二维半导体材料的功函数比底层二维半导体材料小，N型二维半导体材料的功函数比底层二维半导体材料大；本实用新型通过堆叠不同功函数的二维半导体材料，实现P型二维半导体材料产生P型掺杂、N型二维半导体材料产生N型掺杂，形成PN结构。本实用新型中P型金属电极与P型二维半导体材料的相变部分一接触，N型金属电极与N型二维半导体材料的相变部分二接触，保证金属电极与二维半导体材料的欧姆接触电阻小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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