[实用新型]一种防漏硅晶体生长炉有效
| 申请号： | 202022031998.5 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN213596453U | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨金海 | 申请（专利权）人： | 浙江晶阳机电股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 王家蕾 |
| 地址： | 314413 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种防漏硅晶体生长炉，包括：热场，热场内设有石英坩埚，石英坩埚内用于设置硅液；防漏硅接漏桶装置，设置于石英坩埚的下方，包括：防漏盘和接料桶，其中，防漏盘，包括溢流槽和溢流孔，溢流孔成对设置且对称设于溢流槽内，防漏盘设于石英坩埚的下方且石英坩埚侧壁的投影落入在溢流槽内；接料桶，接料桶通过导流管与溢流孔连通。作为本方案的进一步改进，防漏盘的中心处设有轴孔，轴孔的周围均匀设置电极贯穿孔。本实用新型具有安全性高、方便使用的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防漏 晶体生长 | ||
【主权项】：
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