[实用新型]一种SiC IGBT器件

摘要

本实用新型提供的SiC IGBT器件从下至上依次为集电极、P+层、N+层、N‑电阻层、场终止层、N‑漂移层、N载流子储存层、P基区、N型JFET区、欧姆接触、栅极、肖特基接触和发射极，器件背面N+层与P+层之间形成交替设置的N+区与P+区；器件正面形成MPS肖特基二极管结构；器件在进行续流工作时，MPS肖特基二极管结构的电流将通过背面的N+区形成导电通路，以集成续流二极管。本申请通过在器件的表面设置肖特基二极管结构，并且在器件背面形成交替设置的N+区与P+区，使器件在进行续流工作时，正面的MPS二极管(嵌入pn结构的肖特基二极管)的电流将通过N+区形成导电通路，从而实现集成续流二极管的功能。