[实用新型]一种具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件有效
| 申请号： | 202022095507.3 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN213184296U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈译;陈彬 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底上的N型重掺杂区和P型阱区，该N型重掺杂区设在P型阱区中间，在P型阱区一侧靠近栅结构的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的N型重掺杂源区，N型重掺杂源区相接的P型重掺杂源区，在P型阱区另一侧靠近栅结构的N型轻掺杂漂移区，N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂缓冲区，远离栅结构区的N型重掺杂缓冲区一侧的P型重掺杂漏区，P型阱区中间的栅结构区，该栅结构采用多晶硅材料和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出源极，分裂栅结构引出栅极，N型/P型重掺杂漏区引出漏极。该半导体功率器件通过分裂栅和超结结构可以有效地提高其开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 分裂 mos 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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