[实用新型]一种多层MEMS结构有效
| 申请号： | 202022100291.5 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN212982461U | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 吴炫烨;关一民 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种多层MEMS结构，该MEMS结构包括自下而上依次堆叠于衬底上的至少两层光敏干膜，所述光敏干膜中设有空腔。本实用新型使用至少两层光敏干膜实现多层MEMS结构，各层结构更为平整，曝光更加均匀，可以减小结构误差，从而提高多层MEMS结构制造的良率。该多层MEMS结构可应用于多种微结构，包括但不限于纳米孔测序芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 mems 结构 | ||
【主权项】：
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