[实用新型]一种磁控溅射区域降温装置有效
| 申请号： | 202022138294.8 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN214218841U | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李国强;舒逸;刘光斗;李赞 | 申请（专利权）人： | 湖南玉丰真空科学技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 湖南格创知识产权代理事务所(普通合伙) 43263 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 411100 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种磁控溅射区域降温装置，该磁控溅射区域降温装置安装在磁控阴极的正对面、基片与磁控阴极之间，包括水冷板，所述水冷板底部通过支撑座固定在真空镀膜箱体底部，水冷板上部通过固定支架固定在镀膜箱体上部，所述水冷板朝向基片一侧的面板上焊接有呈蛇形分布的冷却水管，所述冷却水管的进水端及出水端分别通过密封装置与真空镀膜箱体底部密封连接。本实用新型的磁控溅射区域降温装置安装在磁控阴极的正对面、基片与磁控阴极之间，通过水冷板及冷却水管的设置，可通过水冷来降低周边温度，保证了基片表面的正常工艺温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 区域 降温 装置 | ||
【主权项】：
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