[实用新型]一种高频率响应的二极管组件结构有效
申请号: | 202022159664.6 | 申请日: | 2020-09-27 |
公开(公告)号: | CN212934621U | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 杨旭峰;伍伟东 | 申请(专利权)人: | 深圳市广为通信技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/102 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭涛;刘曰莹 |
地址: | 518055 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型适用于半导体器件领域,提供了一种高频率响应的二极管组件结构,包括外围壁和安装框,外围壁和安装框相互围设成环型的屏蔽框体,安装框内成型有安装槽,安装槽内卡接有二极管组件,二极管组件包括有头部和尾部,尾部朝向外围壁内侧设置,尾部设有金属底座,金属底座上设有若干金属管脚,安装框在靠近所述尾部的端面上开设有若干圆孔,圆孔均匀设于所述尾部的两侧,还包括有导线,导线依次与尾部一侧圆孔、金属底座和尾部另一侧的圆孔固定连接;通过安装框将二极管组件与整个屏蔽框体实现牢固连接,另外,通过导线的作用连接二极管组件的金属底座与整个屏蔽罩,能得到较高的频率响应特性,同时降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 频率响应 二极管 组件 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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