[实用新型]一种二极管跳线吸取装置有效
| 申请号： | 202022198367.2 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN212967658U | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王连慧;王玉桃;刘亚东 | 申请（专利权）人： | 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种二极管跳线吸取装置，它包括底座，所述底座上设置有一组吸嘴支座，所述吸嘴支座上均匀设置有若干吸嘴，所述底座上内开设有一组进气口，所述吸嘴支座内部设置有气道，所述进气口与气道连通，所述吸嘴内部设置有真空槽，所述真空槽贯穿吸嘴并与气道连通，所述吸嘴的顶部设置有第一凸台和第二凸台，所述第一凸台和第二凸台分别位于真空槽的两侧。本实用新型提供一种二极管跳线吸取装置，采用高低凸台吸嘴，有效解决跳线放置偏移、放置不到位等一系列问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 跳线 吸取 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州银河世纪微电子股份有限公司，未经常州银河世纪微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202022198367.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种计算机散热结构
- 下一篇：高功率频闪光源驱动器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
