[实用新型]TOF图像传感器像素结构及测距系统有效

专利信息
申请号: 202022223692.X 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN212696100U 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 申请(专利权)人: 思特威(上海)电子科技股份有限公司
主分类号: H04N5/341 分类号: H04N5/341;H04N5/359;G01S17/08
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 张媛
地址: 200120 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型属于图像传感器技术领域,涉及TOF图像传感器像素结构及测距系统,TOF图像传感器像素结构,包括电场生成栅极、光传感器及传输电路。传输电路与光传感器的下端连接,用于接收光传感器产生的电荷。电场生成栅极覆盖光传感器的上端,用于在加负压时制造一个恒定的电场,以协助电荷传输至传输电路。因此,本实用新型通过加负压的电场生成栅极,使得光传感器内产生电位差,从而制造一个恒定的电场,进而能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路,进一步使得该光传感器产生的电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容),故而,本实用新型提高了光电二极管产生的电荷的传输效率,进而能够实现提高测距精度的目的。
搜索关键词: tof 图像传感器 像素 结构 测距 系统
【主权项】:
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