[实用新型]一种大功率瞬态抑制二极管吸取装置有效
申请号: | 202022237974.5 | 申请日: | 2020-10-10 |
公开(公告)号: | CN212810262U | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 邵贯敏 | 申请(专利权)人: | 无锡国电资通科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 | 代理人: | 刘咏华 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种大功率瞬态抑制二极管吸取装置,包括底座,所述底座的上表面两侧对称固定连接有滑轨,所述滑轨的上表面开设有第一滑槽,两个所述第一滑槽的内部均贯穿滑动连接有支架,所述支架位于第一滑槽内部的一端外表面贯穿有通过螺纹转动连接的第一丝杆。本实用新型中,能够将吸嘴移动到各个位置,进而便于将吸嘴上的二极管移动到需要的位置,减轻了操作者的负担,由于第一齿轮的齿数大于第二齿轮的齿数,使得第一齿轮可以缓慢地进行旋转,从而使得二极管的转动角度更加精准,从而提高产品的质量,通过支撑板和凹槽,从而可以适应各种大小的二极管的吸取,也保证了在吸取时不要人工进行二极管的调节拨正,进一步提高了工作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 大功率 瞬态 抑制 二极管 吸取 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造