[实用新型]一种高压超结MOSFET结构有效
| 申请号： | 202022247870.2 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN213782020U | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张艳旺;钱振华 | 申请（专利权）人： | 无锡橙芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 浙江英普律师事务所 33238 | 代理人： | 王晓岗 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市滨湖区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高压超结MOSFET结构，其包括N+衬底；超结区，超结区位于所述N+衬底上面；所述超结区包括第一P柱；N柱，N柱位于所述第一P柱外侧；第二P柱，第二P柱位于所述N柱外侧；本实用新型中的高压超结MOSFET结构是在Poly gate(多晶栅极)中间下面设置有数个PNPNPN交替出现的pillar(柱子)，实现了在不改变现有工艺以及其它参数几乎不变的情况下，使SJMOS(超级结金属氧化物半导体)器件的RSP(比导通电阻)及EMI(电磁干扰)性能提升，从而提升器件的竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
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