[实用新型]一种IGBT吸收电容有效
| 申请号： | 202022251171.5 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN213183992U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李健光;李泰甫;朱永光 | 申请（专利权）人： | 南通向日亚精密机电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G2/10 | 分类号： | H01G2/10;H01G2/08;H01G4/38;H01G4/224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种IGBT吸收电容，包括外壳体，外壳体内腔安装第一电容器芯子和第二电容器芯子，外壳体上端面分别安装第一电极片和第二电极片，外壳体下端面分别安装第三电极片和第四电极片，第一电极片和第三电极片分别与第一电容器芯子连接，第二电极片和第四电极片分别与第二电容器芯子连接，第一电极片连接第一接线端子，第二电极片连接第二接线端子，第一接线端子和第二接线端子分别与IGBT电性连接，第一电容器芯子、第二电容器芯子与外壳体内侧壁分别安装第一支撑组件，第一电容器芯子和第二电容器芯子之间安装第二支撑组件，本实用新型结构设计新颖，用于IGBT的高脉冲吸收，对IGBT起保护作用，能承受点电流冲击和低功耗，高可靠性，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 吸收 电容 | ||
【主权项】：
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