[实用新型]一种高插损无源EMI滤波器有效
| 申请号： | 202022283197.8 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN212850432U | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 贺先建;梁建;蒋维;郭兴坤;朱建军;闫昊;何小东 | 申请（专利权）人： | 成都天核科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H7/01 | 分类号： | H03H7/01;H03H7/06;H01F17/04;H01F27/24;H01F1/01 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 李朝虎 |
| 地址： | 610000 四川省成都市双流区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高插损无源EMI滤波器，所述EMI滤波器采用二阶滤波结构，包括第一阶滤波结构和第二阶滤波结构；所述第二阶滤波结构包括共模电感L2；所述EMI滤波器接入电网传入的高频、低频交流信号，并输出至后续设备；所述EMI滤波器为对电网传入的高频、低频交流信号造成的差模噪声和共模噪声进行抑制的装置。本实用新型结构简单、合理，选用铁、钴、镍和硅、磷、硼材质非晶作为电感磁芯，非常规的应用组合，相比传统铁氧体磁芯，同等规格下有效增大电感量，具有良好的高、低频交流噪声抑制作用，降低共模干扰和差模干扰；有效提高10kHz和30MHz频率点的插入损耗，满足CE102和电源线传导发射等试验项目。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高插损 无源 emi 滤波器 | ||
【主权项】：
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