[实用新型]一种MPCVD金刚石石膜基片有效
申请号: | 202022340359.7 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN214004777U | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 满卫东;龚闯;朱长征;吴剑波;蒋梅荣 | 申请(专利权)人: | 上海征世科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/27;C23C16/511 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 周琼 |
地址: | 201799 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供一种MPCVD金刚石石膜基片,涉及石膜基片技术领域,包括基片体,所述基片体的外表面设置有防护结构和缓冲散热结构,所述防护结构包括第一防护盖和第二防护盖,所述第一防护盖的外表面一侧固定连接有第一连接杆,所述第二防护盖的外表面一侧固定连接有第二连接杆,所述基片体的外表面开设有固定孔,所述缓冲散热结构包括第一缓冲海绵和第二缓冲海绵,所述第一缓冲海绵的外表面贯穿设置有第一散热孔,所述第二缓冲海绵的外表面贯穿设置有第二散热孔。本实用新型,整个装置通过第一防护盖、第二防护盖、固定孔、第一连接杆和第二连接杆的相互作用,避免基片体因磕碰造成磨损,提高了装置的实用性。 | ||
搜索关键词: | 一种 mpcvd 金刚石 石膜基片 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的