[实用新型]一种高电子迁移率晶体管结构有效
| 申请号： | 202022345205.7 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN213546322U | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 林志东;蔡仙清;刘胜厚;张辉;孙希国 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;吴晓梅 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高电子迁移率晶体管结构，它包括依次形成于衬底上方的成核层、缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上表面形成有间隔设置的源、漏、栅电极结构，源、漏、栅电极结构之间具有钝化层，栅电极结构由第一栅电极层，设于第一栅电极层上且宽度大于第一栅电极层的第二栅电极层，设于第二栅电极层上且宽度大于第二栅电极层的第三栅电极层组成。它具有如下优点：提高器件增益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
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