[实用新型]基于超表面光学天线的太赫兹信号探测器有效
申请号: | 202022401679.9 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN213878118U | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 罗俊;魏东;胡钗;张新宇 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/18;H01Q15/00;H01Q15/10 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于超表面光学天线的太赫兹信号探测器,包括:衬底、掺杂层、二氧化硅层、超表面光学天线层、欧姆电极、肖特基电极和普通电极;其中,超表面光学天线层宽度为2~10mm,包括微米基元以及多个平面金属纳尖单元;微米基元为微米结构,形状为多边形;金属纳尖单元分布在微米基元各个边的内侧或外侧,对于入射的太赫兹信号具有局域表面等离激元特性。如此,由于纳尖单元对入射的太赫兹信号具有极强的局域表面等离激元感应能力,一旦与对应的太赫兹信号产生局域表面等离激元振荡,能够在极短时间内产生极强的响应信号;同时,本实用新型采用微纳结构,在满足较好探测性能的前提下,大大减小了太赫兹信号探测器的成本。 | ||
搜索关键词: | 基于 表面 光学 天线 赫兹 信号 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的