[实用新型]一种用于提高晶圆刻蚀均匀性的气体挡板有效
| 申请号： | 202022402967.6 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN213026060U | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;张鹏 | 申请（专利权）人： | 上海稷以科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;H01J37/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200240 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于提高晶圆刻蚀均匀性的气体挡板，包括圆形板体，所述圆形板体上由中心向四周设为中心区域、实心区域和外围区域，所述中心区域设有两圈中部通孔，整体呈环形；所述外围区域均匀分布有外围通孔；所述实心区域位于中心区域和外围区域之间；所述圆形板体边沿设有固定孔。本实用新型与现有技术相比的优点是：本实用新型很好地解决了射频等离子刻蚀问题中，衬底中心区域与边缘区域和样品刻蚀均匀性存在差异的问题，提高了等离子体刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 刻蚀 均匀 气体 挡板 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海稷以科技有限公司，未经上海稷以科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202022402967.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种VR虚拟现实设备头套固定装置
- 下一篇：一种建筑沉降检测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
