[实用新型]大电流绝缘栅双极型晶体管器件有效
| 申请号： | 202022413927.1 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN214254425U | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 郭家铭;俞仲威;黄国伦;张朝宗 | 申请（专利权）人： | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种大电流绝缘栅双极型晶体管器件，包括：轻掺杂N型缓冲层和位于轻掺杂N型硅片本体下部的重掺杂P型集电区层；位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内，所述第一沟槽、第二沟槽内分别具有第一栅极部、第二栅极部；位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向设置有重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区，所述重掺杂P型源极区位于第二沟槽的周边，所述重掺杂N型源极区位于第一沟槽的周边；一第一栅电极层、第二栅电极层分别位于第一栅极部、第二栅极部上表面。本实用新型晶体管器件使器件能快速关断，从而降低了晶体管器件的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
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