[实用新型]低功耗缘栅型双极晶体管有效
| 申请号： | 202022428438.3 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN213583796U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郭家铭;俞仲威;黄国伦;张朝宗 | 申请（专利权）人： | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种低功耗缘栅型双极晶体管，其位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内，位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向间隔地设置有第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区，所述第二重掺杂N型源极区位于第二沟槽的周边，所述第一重掺杂N型源极区位于第一沟槽的周边；P型掺杂阱层中部和上部分别设置有N型掺杂阱层、P型掺杂基区层，所述第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区均位于P型掺杂基区层的上部。本实用新型低功耗缘栅型双极晶体管降低了晶体管可实现更低的导通电压，降低了功率效能的损失，实现了晶体管组件优良的性能，可用于电力电子领域。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 缘栅型 双极晶体管 | ||
【主权项】：
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