[实用新型]一种GaSbxAs1-x空间四节电池外延片有效
| 申请号： | 202022494630.2 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN212257427U | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 万智;徐培强;林晓珊;张银桥;王向武;潘彬 | 申请（专利权）人： | 南昌凯捷半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人： | 孙文伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市临*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种电池外延片，尤其涉及一种GaSbxAs1‑x空间四节电池外延片，包括底电池、第二节电池、第三节电池和第四节电池，将GaSbxAs1‑x取代正装GaInP/GaxIn1‑xAs/GayIn1‑yAs/Ge结构中的GayIn1‑yAs材料，在相同能隙情况下，可使第二节电池与衬底失配度减小，从而可以减少缓冲层的厚度，降低电池的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gasbxas1 空间 节电 外延 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
