[实用新型]功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 202022571642.0 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN213583798U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 黄彦智;俞仲威 | 申请（专利权）人： | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种功率MOSFET器件，包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层和重掺杂N型衬底层，沟槽内具有一栅极多晶硅部，此栅极多晶硅部与沟槽之间通过一栅极氧化隔离层，位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方，所述重掺杂P型植入区在水平且朝向沟槽方向延伸至重掺杂N型源极区正下方，所述重掺杂P型植入区与沟槽之间且位于重掺杂N型源极区下方的区域作为通道区；一源极金属层覆盖于重掺杂N型源极区和重掺杂P型植入区上表面。本实用新型功率MOSFET器件在处于反偏压时，有助于让漏电流远离通道区，避免器件过早发生崩溃现象，进而增加器件的强健性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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