[实用新型]高可靠性沟槽功率MOS晶体管有效
| 申请号： | 202022576714.0 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN213583802U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 黄彦智;俞仲威 | 申请（专利权）人： | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种高可靠性沟槽功率MOS晶体管，包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层、重掺杂N型衬底层，位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方，所述重掺杂P型植入区在水平且朝向沟槽方向延伸至重掺杂N型源极区正下方；所述重掺杂N型源极区上表面开有一凹槽，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分，一源极金属层覆盖于和重掺杂P型植入区上表面并延伸覆盖凹槽剩余部分。本实用新型高可靠性沟槽功率MOS晶体管在处于反偏压时，避免器件过早发生崩溃现象且降低了欧姆接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 沟槽 功率 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
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