[实用新型]一种结型场效应晶体管器件有效

专利信息
申请号: 202022591517.6 申请日: 2020-11-10
公开(公告)号: CN214279983U 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 倪炜江 申请(专利权)人: 安徽芯塔电子科技有限公司
主分类号: H01L29/45 分类号: H01L29/45;H01L29/06;H01L29/80;H01L21/335;H01L29/16
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 钟雪
地址: 241000 安徽省芜湖市弋江区*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开了一种结型场效应晶体管器件,所述器件包括:Ⅰ导电型漂移层;Ⅱ+导电型区,形成于Ⅰ导电型漂移层内,中间位置的Ⅱ+导电型区的深度低于两侧的Ⅱ+导电型区;栅极欧姆接触区,形成于中间位置的Ⅱ+导电型区上,源极欧姆接触区,形成于两侧的Ⅱ+导电型区上;在Ⅰ导电型为n导电型时,Ⅱ+导电型即为p+导电型,在Ⅰ导电型为p导电型时,Ⅱ+导电型即为n+导电型。器件的栅极位于相邻的两个源极之间,并且栅极的Ⅱ+导电型区比源极的Ⅱ+导电型区更浅,使得器件的雪崩发生在源极的Ⅱ+导电型区。雪崩电流直接通过源极而不经过栅极,保护了栅极驱动电路。同时器件为平面结构,制作简单。
搜索关键词: 一种 场效应 晶体管 器件
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