[实用新型]一种耐高压屏蔽栅功能MOSFET芯片有效
| 申请号： | 202022591957.1 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN213424996U | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 朱小雨 | 申请（专利权）人： | 深圳市尚芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳驿航知识产权代理事务所(普通合伙) 44605 | 代理人： | 杨伦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，提供一种耐高压屏蔽栅功能MOSFET芯片，包括N+衬底层，在所述N+衬底层上方设有N‑型基区层，在所述N‑型基区层上方嵌入有两个P型基区，在每个所述P型基区上方嵌入有两个N+集电区，屏蔽栅设置在两个所述P型基区之间深入所述N‑型基区层内部，其特征在于：所述屏蔽栅覆盖沟槽薄氧，所述沟槽薄氧内部设置有连栅极多晶硅，所述连源极多晶硅覆盖有沟槽厚氧，所述沟槽厚氧、沟槽薄氧底部设置P+型基区，所述P+型基区外部设置有P‑型包围层。能够增大了器件的击穿电压，降低了导通电阻，且有助于功能MOSFET芯片的耐高压程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 屏蔽 功能 mosfet 芯片 | ||
【主权项】：
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