[实用新型]一种用于铸锭单晶硅的坩埚有效
申请号: | 202022601177.0 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN213739776U | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 史珺 | 申请(专利权)人: | 浙江普智能源装备有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00;C30B29/06 |
代理公司: | 温州共信知识产权代理有限公司 33284 | 代理人: | 王帆 |
地址: | 313100 浙江省湖州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种用于铸锭单晶硅的坩埚,包括坩埚底部和坩埚壁,坩埚底部和坩埚壁一体设置,所述坩埚底部的上端面在位于中央位置设置有凹槽,坩埚底部的上端面呈中间低、四周高的斜坡设置。通过采用上述方案,本实用新型克服现有技术存在的不足,提供了一种用于铸锭单晶硅的坩埚,能够保证在用铸锭法进行单晶生长时,不会产生多晶形核,从源头上消除了铸锭单晶的多晶形核的可能性;同时,结合铸锭单晶工艺,还能够消除籽晶中大量的位错,而且在整个单晶的生长过程中,能够使位错的产生几率降到最低。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 铸锭 单晶硅 坩埚 | ||
【主权项】:
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