[实用新型]一种高介电加载吸波结构有效

专利信息
申请号: 202022608554.3 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN213834077U 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 祝晓丽 申请(专利权)人: 西安艾尚智汇电子科技有限公司
主分类号: B65H75/40 分类号: B65H75/40;B65H75/44;H01Q17/00;H05K9/00
代理公司: 北京奇眸智达知识产权代理有限公司 11861 代理人: 马廷昭
地址: 710000 陕西省西安市国家民用航天*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开了一种高介电加载吸波结构,包括箱体,所述箱体内底壁固定安装有第一伸缩杆,所述第一伸缩杆表面套设有第一弹簧,所述箱体内底壁活动连接有转轴,所述转轴顶部固定连接有第一绕线盘,所述第一绕线盘顶部固定连接有第二绕线盘,所述第二绕线盘顶部固定安装有转杆,所述第一伸缩杆顶部固定连接有固定板,所述固定板侧壁连接有滑块,所述固定板底部安装有第一固定块和第二固定块,所述固定板上表面安装有第三固定块和第二伸缩杆,所述第二伸缩杆表面套设有第二弹簧,所述第三固定块通过铰轴活动连接有连接杆,通过对此吸波结构高度的调节,能够调整吸波结构与电磁干扰源的间距,使其对电磁干扰辐射的吸收和衰减达到最佳效果。
搜索关键词: 一种 高介电 加载 结构
【主权项】:
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