[实用新型]一种半导体压腔控制装置和快速热处理装置有效
| 申请号： | 202022618878.5 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN213212123U | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡裕棠 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 250000 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体压腔控制装置和快速热处理装置，涉及半导体技术领域，包括增压装置、管路、粗调阀和精调阀；在管路的两端分别设置有相互连通的第一接口和第二接口，第一接口与增压装置连接，第二接口用于连接反应箱的半导体腔室；粗调阀和精调阀分别设置于管路上，用于分别调节半导体腔室的压力。在实现反应箱内的半导体腔室的压力控制时，可以通过粗调阀的粗略调节加之精调阀的精确调节，实现对压力的精确控制，同时，还可以进一步的提高半导体腔室的压力控制的稳定性，避免因单一阀故障导致半导体腔室的压力控制失效，进而使得半导体器件在反应箱进行加工时，能够获得更加稳定的压力环境以及双重稳压的安全保证。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 控制 装置 快速 热处理 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
