[实用新型]一种石英舟及硅片沉积装置有效
申请号: | 202022644709.9 | 申请日: | 2020-11-16 |
公开(公告)号: | CN213340306U | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 沈雯;张临安;杨慧;邓伟伟 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及硅片沉积技术领域,公开一种石英舟及硅片沉积装置。其中石英舟包括第一端板、第二端板、至少两个支撑杆、第一舟杆和第二舟杆,第一端板和第二端板沿X方向间隔设置,支撑杆一端与第一端板连接,另一端与第二端板连接,第一舟杆与上部支撑杆连接,硅片能沿X方向立设于一对第一舟杆之间,且一对第一舟杆分别与硅片的两侧边抵接;第二舟杆与下部的支撑杆连接,第二舟杆与硅片的底边抵接。本实用新型通过设置第一舟杆和第二舟杆,实现对硅片的承载,且放置于第一舟杆和第二舟杆上的硅片与X方向平行,气流能均匀地流向每片硅片,保证硅片沉积均匀性和良品率;同时,在炉口和炉尾位置处也可放置硅片,大大提高了量产产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 石英 硅片 沉积 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202022644709.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多功能自动化仪表箱
- 下一篇:一种基于标准温度源的红外热成像温度修正装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造