[实用新型]一种双层反应腔体结构有效
| 申请号： | 202022645565.9 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN213845292U | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 林佳继;庞爱锁;刘群;李东林 | 申请（专利权）人： | 拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B31/00;C21D1/26;C23C16/00;F16J15/06;F16F15/02 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型为一种双层反应腔体结构，包括炉口、腔体以及炉尾；腔体设置于炉口以及炉尾之间；腔体包括内层腔体以及外层腔体，内层腔体设置于外层腔体的内部；外层腔体分别与炉口以及炉尾固定连接；内层腔体与炉口可拆式连接，内层腔体还与炉尾连接；通过设置内层腔体和外层腔体的结构，在内层腔体上形成膜，由外层腔体承受真空压力，实现膜应力和真空压力的分离，进而增强腔体的承受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 反应 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
